SF6氣體制備方法及用途轉自百度百科：1、直接合成法 經凈化后的氟（含HF≤0．5%）和硫反應生成六氟化硫及少量的S2F10、SF4、SF2和S2F2。經水洗、堿洗除去絕大部分雜質氣體，再經熱解爐分解
S2F10成SF6和SF4（300～350℃），然后經堿洗進一步除去雜質，凈化后的SF6氣體經硅膠及分子篩干燥器干燥后，制得六氟化硫產品。
將硫、二氯化硫、一氯化硫、二硫化碳或硫化氫等加入到無水氟化氫中，以鎳為陽極進行電解即可制得六氟化硫。或氟和硫直接反應制備六氟化硫。還可以金屬
氧化物為催化劑于300℃下用空氣氧化四氟化硫，或者在500～2000℃使氟化硫熱解。
2、以長約300mm直徑25mm的鎳管為反應器，將盛有硫粉的鎳舟置于其中，反應管與一石英阱連接，石英阱以液態氧冷卻。裝置的末端與一裝有新脫水的KF的鐵制
干燥管相連，以隔離空氣中的濕氣。硫在氟氣流中燃燒，生成的產物凝聚在冷阱中。隨后進行純化，使產物氣化并通過10%的KOH熱溶液（不用NaOH）洗滌除去其
中的雜質（HF，SF2，SF4，SOF2，S2F10）。然后用P4O10干燥產物氣體，并在室溫下通過活性炭除去S2F10。
3、使SO2在過量的F2中燃燒可生成SF6。反應溫度約650℃，產物在冷阱中凝聚，其中除SF6外主要雜質是SO2F2。純化時將其通過裝有水和熱的10%KOH溶液的洗滌
瓶，最后用P4O10干燥。
4.元素氟和硫直接反應法。
直接電解法 將硫、二氯化硫、一氯化硫、二硫化碳或硫化氫等加入到無水氟化氫中，以鎳為陽極進行電解即可制得六氟化硫。用硫化氫與無水氫氟酸電解時，
以鎳作極，鐵作陰極，溫度為－10～20℃，電壓為7～20V。電解產物應除去雜質;催化氧化法 金屬氧化物為催化劑，于300℃下，用空氣氧化四氟化硫，該法缺
點是收率過低。
熱解法，在500～2000℃使SF4熱解，但該法的轉換率及收率皆低，采用微波放電分解SF4亦可。氟化鈷法 將硫磺或其他硫化物在三氟化鈷和二氯化鈷存在下與過
量氟作用以制備六氟化硫。二氧化硫與氟燃燒法。聯產法 氯氟代甲烷和六氟化硫聯產，氟化碳（COF2）與六氟化硫聯產。
SF6氣體作用用途
1、新一代超高壓絕緣介質材料。作為良好的氣體絕緣體，被廣泛用于電子、電氣設備的氣體絕緣。電子級高純六氟化硫是一種理想的電子蝕刻劑，廣泛應用于微
電子技術領域，用作電腦芯片、液晶屏等大型集成電路制造中的等離子刻蝕及清洗劑。在光纖制備中用作生產摻氟玻璃的氟源，在制造低損耗優質單模光纖中用
作隔離層的摻雜劑。還可用作氮準分子激光器的摻加氣體。在氣象、環境檢測及其他部門用作示蹤劑、標準氣或配制標準混合氣。在高壓開關中用作滅弧和大容
量變壓器絕緣材料。也可用于粒子加速器及避雷器中。利用其化學穩定性好和對設備不腐蝕等特點，在冷凍工業上可用作冷凍劑（操作溫度－45~0℃之間）。由
于對α粒子有高度的停止能力，還用于放射化學。此外還作為一種反吸附劑從礦井煤塵中置換氧。
2、可用于有色金屬的冶煉和鑄造工藝，也可用于鋁及其合金熔融物的脫氣和純化。在微電子業中，可用六氟化硫蝕刻硅表面并去除半導體材料上的有機或無機膜
狀物，并可在光導纖維的制造過程中，作為單膜光纖隔離層摻雜劑。加有六氟化硫的電流遮斷器額定電壓高，且不易燃燒，另外，六氟化硫還用于各種加速器、
超高壓蓄電器、同軸電纜和微波傳輸的絕緣介質。目前六氟化硫是應用較為廣泛的測定大氣污染的示蹤劑，示蹤距離可達100km。六氟化硫化學穩定性好，對設備
不腐蝕，在冷凍工業中可作為冷凍劑(操作溫度在-45～0℃之間)，作制冷劑替代氟利昂，對臭氧層完全沒有破壞作用，符合環保和使用性能的要求，是一種很有
發展潛力的制冷劑。用作電氣絕緣介質和滅弧劑，測定大氣污染程度的示蹤劑。
3、主要用于高壓開關中滅弧，在大容量變壓器和高壓電纜中作為絕緣材料使用。可在核粒子加速器及避雷器X射線設備中作為氣體的絕緣材料，利用SF6化學穩定
性好，對設備不腐蝕，在冷凍工業中可作為冷凍劑（操作溫度在－45～0℃之間），SF6對α-粒子有高度的停止能力，故在放射化學中也有應用；也可作為一種反
吸附劑從礦井煤塵中置換氧。
4、用作電子設備和雷達波導的氣體絕緣體。
SF6氣體制備方法及用途
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